据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
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从产能规划对比看，本次扩产的节奏显得颇为激进。民德电子在调研会上表示，广芯微一期项目规划为6英寸硅基功率器件月产10万片，截至2025年年底，一期实际产能仅为4万片/月，仍处于典型的产能爬坡阶段，距离满产仍有较大差距。。关于这个话题，夫子提供了深入分析